我們(men) 專(zhuan) 注於(yu) 合成大尺寸、高質量、電子和光學級層狀 vdW 晶體(ti) 的無缺陷單晶。此類別包含二維金屬、半金屬、超導或 CDW 單晶。我們(men) 的產(chan) 品具有以下*的新穎性；
保證 CDW、半金屬和超導響應： 2Dsemiconductors 是保證 CDW、超導和金屬響應的商業(ye) 來源。
不同的晶體(ti) 生長技術： 我們(men) 的晶體(ti) 通過各種不同的方法生長，包括化學氣相傳(chuan) 輸 (CVT) 通量區技術、浮區技術和我們(men) 的一些技術
無缺陷單晶： 缺陷會(hui) 影響超導轉變的尖銳程度、超導轉變溫度、CDW 磁滯回線和許多其他影響。經過二十年的晶體(ti) 生長優(you) 化，我們(men) 在保持缺陷濃度低至 1E8 cm-2 方麵積累了豐(feng) 富的經驗，這在該領域是的。
2dsemiconductors BLK-BiTlTe說明書(shu)
市售的拓撲絕緣體(ti) t合金 BiTlTe（碲化鉍t）晶體(ti) 。Tl 已合金化到 Bi2Te3 基體(ti) 中以在 x=0.7 和 x=1.3 範圍內(nei) 形成 Bi(2-x)TlxTe3 晶體(ti) 。BiTlTe（摻t的 Bi2Te3 晶體(ti) ）在很大程度上是未開發的層狀材料，具有良好的拓撲行為(wei) 、熱電和壓電性能。
t合金 Bi2Te3 (Bi 2-x TlxTe3) 晶體(ti) 的特性
單相材料
環境穩定：碲基材料中存在的缺陷會(hui) 顯著縮短使用壽命。我們(men) 的產(chan) 品具有極少的缺陷（1 點缺陷/1E5 單元電池），因此我們(men) 的產(chan) 品對環境穩定且無需複雜的儲(chu) 存條件。
大單疇尺寸（約 100 微米或更大），可剝離大尺寸單層片材。
純度：我們(men) 的產(chan) 品具有 99.9999% 或更高的純度保證，讓您能夠真正探查層狀材料的內(nei) 在特性。
客戶滿意度：根據美國客戶權利法案，我們(men) 公司努力讓客戶滿意。2Dsemiconductors 在過去 15 年中一直是 2Dmaterials 和分層材料供應商，擁有大型設施和大量員工進行 2Dresearch 和開發。
準備去角質：樣品經過清潔，*以 0001 為(wei) 導向。這意味著樣品已準備好進行剝離，無需擔心表麵氧化、表麵隱藏相或表麵汙染物。
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