2dsemiconductors MBE-MoSe2說明書(shu)

2D MBE MoSe2

分子式： MoSe2

2D MBE MoSe2

一個(ge) 分子束外延 (MBE) 生長的 MoSe2 單分子層。MBE 是一種用於(yu) 單晶質量薄膜沉積的外延方法，與(yu) 化學氣相沉積 (CVD) 或金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD) 技術相比，它提供了高結晶度和降低的缺陷密度（參見下麵的 HRTEM 圖像）。MoSe2 單層的 MBE 生長發生在 MBE 室中，基礎壓力為(wei) 8E-9 Torr，沉積速率極慢（每秒 5-100 個(ge) 原子）以達到結構。典型的 MBE 生長在雙麵拋光 c 切藍寶石上產(chan) 生單層厚的 MoSe2 隔離三角形。目前，MBE MoSe2 僅(jin) 在藍寶石基板上提供，但在不久的將來，我們(men) 的 MBE 基板還將包括雲(yun) 母、石墨和金。   

MBE、CVD、MOCVD的比較

MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較

 從(cong) MBE MoSe2 收集的光學圖像

MBE MoSe2 懸浮在 TEM 網格上

 從(cong) MBE MoSe2 收集的 PL 光譜

 從(cong) MBE MoSe2 收集的拉曼光譜